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中企动力做的保安服务网站,文案代写在哪里接单子,seo快速排名软件平台,古楼角网站建设目录 一、BLDC半桥驱动 1. 基本结构#xff1a; 2. 为啥可以用在BLDC中: 3. 关于死区问题 - 这个得注意 ​​​​​​​ 4. 一些拓展部分 -------------------------------------------------------------------------------- 二、关于MOS的使用 ​​​​​​​ …目录一、BLDC半桥驱动1. 基本结构2. 为啥可以用在BLDC中:3. 关于死区问题 - 这个得注意​​​​​​​ 4. 一些拓展部分--------------------------------------------------------------------------------二、关于MOS的使用​​​​​​​ 1. MOS驱动电流计算​​​​​​​ 2. 关于NMOS和PMOS做上下管的问题​​​​​​​ 3. 关于NMOS如何做上管​​​​​​​ 4. 关于栅极驱动信号振铃---------------------------------------------------------------------------------三、电机浪涌​​​​​​​ 1. 浪涌表现​​​​​​​ 2. 解决方式​​​​​​​ ​​​​​​​ 2.1 串联电阻限流​​​​​​​ ​​​​​​​ 2.2 软启动或者延迟电路​​​​​​​ ​​​​​​​3. 造成影响一、BLDC半桥驱动1. 基本结构上下桥臂MOS、驱动IC、软启动上下两个部分是上下桥臂MOS主要控制导通的时候电流流向驱动IC就不多说了...软启动的话可以防止电气、机械冲击。比如可以在MOS的栅-源极加个10nF的电容除此之外还可以在栅源极加个10K或者再高些的电阻做到关断然后上面的1N4148的二极管那块地方在MOS被驱动的时候电流通过R5从栅极那边过去R5可以平滑一些振荡在关断的时候1N4148那里提供了一条回路让电荷快速回去自举电容C3那地方布局的时候记得靠近EG2133它拉高电平用的芯片上面那个FR107是个二极管反向耐压值要比较大工作频率至少要达到芯片驱动频率2. 为啥可以用在BLDC中:这里用DRV8313的推荐原理图举例因为EG2133推荐原理图没无刷电机我懒得画...比如这里我们想控制电流流过其中两相那么只需要驱动OUT1的上管、OUT3的下管电流从预计的地方过去了...3. 关于死区问题 - 这个得注意我们从一个情况出发来引出为什么要有死区在不考虑芯片带有死区控制的情况下我们在驱动上下两个MOS管的时候如果因为控制问题导致上下两MOS管某个极短的时间段同时导通。比如蓝色框框里那样那么此时会导致给电机供电的电源和地短路通过MOS的电流会非常非常大很容易烧坏为了防止这个问题出现在驱动MOS时需要在里面插入死区时间主要是防止上面的情况出现。或者说你要让上下管导通切换的时候要在中间插入一个时间段(死区)但是其实现在很多半桥IC内部都集成了这个功能但是我们还是要了解为什么的...4. 一些拓展部分其实在实际BLDC中OUT1/2/3输出的部分可以选两个地方放个采样电阻(大功率那种)配合电流检测芯片知道相电流。用来做控制算法的电流环控制或者MIT模式中力矩控制也是要知道电流的还有就是这个采样电阻布线的时候可以用开尔文走线因为说白了这种电流检测是利用电流流过电阻时产生的压降或者说电阻左右电压很细微的不同经过信号放大从而映射出当前电流大小用开尔文走线的话一方面能消除引线电阻和接触电阻的影响另一方面两根线靠得近有干扰的话两条线一起干扰最后的压差没变问题就不是太大二、关于MOS的使用1. MOS驱动电流计算Qg / td(ON)Tr 89 / 113 ≈ 0.79A这个前提是MOS的上升时间要求是这么快像这里这颗NMOS因为Rds(on)只有0.96mR所以Qg算挺大的一般不会用于太高速的开关2. 关于NMOS和PMOS做上下管的问题为什么NMOS做下管PMOS做上管呢先说下判断方式NMOS和PMOS判断方式我是这样认的很方便NMOS的G极那个尖尖朝内PMOS那里朝外不管NMOS还是PMOS流向都是逆着体二极管(也就是DS中间那个二极管)然后NMOS流向是 D-SPMOS流向是 S-D这样也方便认出它们哪个是哪极首先是PMOS做上管PMOS的导通条件是 VgsVgs(th)或者说是S极电压比G极多xxx在做上管的时候S极直接接到输入部分那么G极我们可控那么这个Vgs就很好控了然后就是NMOS做下管了NMOS导通条件 VgsVgs(th)或者说G电压比S电压多xxx做下管的时候S极电压直接接地G极可控那么Vgs就好控了这里为什么不能直接做上管一句话就是导通后S极电压近似于D极电压了那会出现一会开一会闭的情况举个例子1.VCC12VVgs(th)2V做上管的话起先S极电压是浮动的我们就先算它是0V那么G给个3VVgs3V Vgs(th)2V这里导通。2.导通了D极电荷压到S极那边去S极电压也被拉高到差不多12V那么此时Vgs -9V管子又关闭了...3. 关于NMOS如何做上管1.2那里说到NMOS做下管合适不能直接做上管。但是可能大家在电路设计中尤其是电源设计时有需要用到上管的需求比如MOS开关此时因为NMOS的价格和Rds(on)都低于PMOSRds(on)和发热量压降相关所以希望使用NMOS做上管那么就需要用到自举电路了这里我推荐是立创商城直接搜 《高侧栅极驱动芯片》找个合适的IC比如我下面这张主要自举部分是R69D16C127这里电阻作用就不必多说了自举电容可以认为是给自举电容充电利用电容两端电压不能突变原则使得G极电压总是比S极高一些然后这里的D16主要起到一个防止自举电容往反方向放电的作用4. 关于栅极驱动信号振铃在使用MOS管的时候需要给到栅极一个驱动信号这时候除了关注这个驱动信号电流多大是否能满足MOS快速关断场景下给等效电容充电的需求另一方面需要考虑到驱动信号是否有振铃现象出现振铃现象时可以考虑串联电阻进行阻尼三、电机浪涌1. 浪涌表现大电容、电感器启动时会有个瞬态大电流可能会持续几个周期在它运行起来之后变得平滑2. 解决方式2.1 串联电阻限流使用NTC负温电阻在板子未启动低温时提供大电阻来限制电流在板子跑了一段时间高温时电阻降低限制电流程度减小正好对应如电机启动时大电流进入状态后电流减小的情况但是这里不太适用于我使用的轮足机器人因为会经常的启动和停止电机还可能导致板子高温但是电机突然启动或堵转的情况2.2 软启动或者延迟电路使用一些芯片来延长上升时间来起到降低电流的情况3. 造成影响1.产生大压降造成MCU掉电复位2.给负责电路的电流量超过了最大承受电流