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成都网站建设零一,津云最新发布消息天津新增多少,重庆最近的新闻大事,公司组织架构图模板展示高堆叠性氧化物半导体沟道晶体管技术 全球存储解决方案领域的领军企业Kioxia Corporation今日宣布#xff0c;已研发出具备高堆叠性的氧化物半导体沟道晶体管技术#xff0c;该技术将推动高密度、低功耗3D DRAM的实际应用。这项技术已于12月10日在美国旧金山举行的IEEE国…展示高堆叠性氧化物半导体沟道晶体管技术全球存储解决方案领域的领军企业Kioxia Corporation今日宣布已研发出具备高堆叠性的氧化物半导体沟道晶体管技术该技术将推动高密度、低功耗3D DRAM的实际应用。这项技术已于12月10日在美国旧金山举行的IEEE国际电子器件大会(IEDM)上亮相有望降低AI服务器和物联网组件等众多应用场景的功耗。在AI时代市场对于具备更大容量、更低功耗、可处理海量数据的DRAM的需求持续攀升。传统DRAM技术在存储单元尺寸微缩方面已逼近物理极限业界因此开始研究存储单元的3D堆叠技术以此拓展存储容量。传统DRAM采用单晶硅作为堆叠存储单元中晶体管的沟道材料这种方式会推高制造成本同时存储单元的刷新功耗还会随存储容量的增加而成正比上升。在去年的IEDM上我们宣布研发出氧化物半导体沟道晶体管DRAM (OCTRAM)技术该技术使用由氧化物半导体材料制成的垂直晶体管。在今年的大会展示中我们推出了可实现OCTRAM 3D堆叠的高堆叠性氧化物半导体沟道晶体管技术并完成了8层晶体管堆叠结构的功能验证。这项新技术将成熟的氧化硅和氮化硅薄膜堆叠起来通过将氮化硅区域替换为氧化物半导体(InGaZnO)同步形成横向堆叠晶体管的垂直分层结构。我们还推出了一种可实现垂直间距微缩的新型3D存储单元结构。这些制造工艺和结构设计有望攻克存储单元3D堆叠面临的成本难题。此外得益于氧化物半导体材料的低关态电流特性该技术还有望降低存储单元的刷新功耗。通过上述替换工艺制作的横向晶体管已被验证具备高导通电流超过30微安和超低关态电流低于1阿托安即10^-18安的性能表现。不仅如此Kioxia Corporation还成功制备了8层横向晶体管堆叠结构并确认该结构内的晶体管均可正常工作。Kioxia Corporation将持续推进这项技术的研发工作以实现3D DRAM在实际应用中的部署。* 本公告旨在提供有关我们业务的信息并非也不构成出售要约或邀请或者在任何司法管辖区购买、认购或以其他方式收购任何证券的要约邀请无意引导参与投资活动也不应构成任何相关合同的基础或依据。* 本文档中的信息包括产品价格和规格、服务内容和联系信息在公告发布之日是正确的但如有更改恕不另行通知。关于KioxiaKioxia是全球存储解决方案领域的领军企业致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身Toshiba Memory于2017年4月从1987年发明NAND闪存的公司Toshiba Corporation分拆而出。Kioxia致力于通过提供产品、服务和系统来为客户创造选择并为社会创造基于存储技术的价值从而提升世界的“记忆”。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域包括高级智能手机、PC、汽车系统、数据中心和生成式AI系统的未来。